تحقیق (پاورپوینت ) ترانزیستور ، پاورپوینت درباره ترانزیستور، انواع ترانزیستور ، انواع ترانزیستور اثر میدان،شیوه اتصال ترانزیستور ها
این پاورپوینت برای دانشجویان و محققان رشته های مهندسی برق مهندسی مکانیک و مهندسی صنایع … بسیار مناسب است. و در 20 صفحه تنظیم شده است.
تاریخ انتشار | 08 آوریل 2020 |
---|---|
تعداد صفحات | 47صفحه |
فرمت فایل | پاورپوینت-powerpoint قابل ویرایش |
تعداد فروش | 81 فروش موفق |
این پاورپوینت برای دانشجویان و محققان رشته های مهندسی برق مهندسی مکانیک و مهندسی صنایع … بسیار مناسب است. و در ۲۰ صفحه تنظیم شده است.
ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسیوم و ژرمانیم ساخته میشود.
ترانزيستور داراي سه پايه است بايد يکي از پايه ها را به عنوان پايه مشترک بين ورودي و خروجي در نظر بگيريم. اين پايه مشترک اساس آرايش هاي مختلف ترانزيستور است.
يکي از پايه هاي ترانزيستور با نام بیس و پايه ديگر با نام اميتر (تزريق کننده) و پايه آخر با نام کلکتور (جمع کننده ) شناخته شده است.
در ۲۳ دسامبر ۱۹۴۷، ,ویلیام شاکلی، جان باردین و والتر براتین موفق به ساخت اولین ترانزیستور اتصال نقطه ای در آزمایشگاه های بل شدند. ترانزیستور، این یک ترکیب مختصر از کلمات «ترانسکانداکتانس» یا «انتقال» و «مقاومت متغیر» است. این قطعه مطمئنا متعلق به خانواده مقاومت متغیر میباشد و یک امپدانس انتقال یا گین دارد بنابراین این اسم یک ترکیب توصیفی است.
در آن زمان تصور میشد که این قطعه مثل دو لامپ خلاء است. لامپهای خلاء هدایت انتقالی دارند بنابراین ترانزیستور مقاومت انتقالی دارد. و این اسم میبایست متناسب با نام دیگر قطعات مثل وریستور، ترمیستور باشد. و نام ترانزیستور پیشنهاد شد.
بل فوراً ترانزیستور تک اتصالی را جزء تولیدات انحصاری شرکت وسترن الکتریک، شهر آآلنتون در ایالت پلسینوانیا قرار داد. نخستین ترانزیستورهای گیرندههای رادیو AM در معرض نمایش قرار گرفتند، اما در واقع فقط در سطح آزمایشگاهی بودند. به هر حال در سال ۱۹۵۰شاکلی یک نوع کاملاً متفاوت ترانزیستور را ارائه داد که به ترانزیستور اتصال دوقطبی معروف شد.
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سهپایه میباشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایههای آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را میتوان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان های دیگر مانند مقاومت ها و جریانها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.
عملکرد يک ترانزيستور را مي توان تقويت جريان دانست. مدار منطقي کوچکي را در نظر بگيريد که تحت شرايط خاص در خروجي خود جريان بسيار کمي را ايجاد مي کند. شما بوسيله يک ترانزيستور مي توانيد اين جريان را تقويت کنيد و سپس از اين جريان قوي براي قطع و وصل کردن يک رله برقي استفاده کنيد. از لحاظ ساختاری میتوان یک ترانزیستور را با دو دیود مدل کرد
۱٫ناحیه قطع
۲٫ناحیه فعال(کاری یا خطی)
۳٫ناحیه اشباع
ناحیه قطع حالتی است که ترانزیستور در ان ناحیه فعالیت خاصی انجام نمیدهد. اگر ولتاژ بیس را افزایش دهیم ترانزیستور از حالت قطع بیرون امده و به ناحیه فعال وارد میشود در حالت فعال ترانزیستور مثل یک عنصر تقریباً خطی عمل میکند اگر ولتاژ بیس را همچنان افزایش دهیم به ناحیهای میرسیم که با افزایش جریان ورودی در بیس دیگر شاهد افزایش جریان بین کلکتور و امیتر نخواهیم بود به این حالت میگویند حالت اشباع و اگر جریان ورودی به بیس زیاد تر شود امکان سوختن ترانزیستور وجود دارد.
در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جربان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل میشود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته میشوند
سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیتهای دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه بجای استفاده از مقاومت و خازن و… در مدارات مجتمع تماماً از ترانزیستور استفاده میکنند.
طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار میدهیم. طرز کار pnp هم دقیقاً مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفرهها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض میشود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم میآورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نماییم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریضتر میشود.
همانگونه که از نام این المان مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمیکند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی، جریان عبوری از FET کنترل میشود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ گونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمیگذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.
FETدارای سه پایه با نامهای درین(D)، سورس (S)و گیت(G)است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل مینماید. FETها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور میکند FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک میگردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی (MOSFET)ها هستند (ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی MOSFETها) یکی از اساسیترین مزیتهای ماسفتها نویز کمتر آنها در مدار است.
ترانزيستور در هر مداري مي تواند متفاوت از قبل ظاهر شود(منبع ولتاژ يا منبع جريان و يا تقويت کننده ولتاژ و …) اين تفاوت را المانهاي همراه ترانزيستور که اکثرا مقاومت,خازن ,ديود و … هستند تعيين مي کنند نحوه قرار گيري اين المانها به همراه ترانزيستور و منبع تغذيه را باياس ترانزيستور گويند. در مدار هاي باياس براي ترانزيستور يک ولتاژ مثبت به همراه زمين يا يک ولتاژ مثبت به همراه ولتاژ منفي را براي ترانزيستور بسته به کاربرد در نظر مي گيرند
این ها فقط بخشی از متون تحقیق (پاورپوینت) درباره ترانزیستور به صورت پراکنده و ناقص میباشد ، برای دانلود تحقیق ، دانلود پاورپوینت به صورت کامل لطفا آن را خریداری فرمایید.
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.